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  • 需求增长 带动GaN先进衬底出现爆发性增长   2009-6-2 14:58:26
  • Strategies Unlimited在日前最新发布的研究报告中指出,目前市场对蓝紫光激光二极管、UV LED以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN和AlN等先进衬底市场出现重大增长。

      2008年,随着高质量蓝宝石和碳化硅衬底的不断问世,帮助氮化镓(GaN)器件(主要是高亮度LED)实现了快速的增长,产值在2008年达到46亿美元。

      不过根据 Strategies Unlimited的最新报告,目前市场对蓝紫光激光二极管、UV LED以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN(氮化镓)和AlN(氮化铝)等先进衬底市场出现重大增长。

      该报告从性能对比和市场评估的角度分析了这些针对GaN的衬底,指出这些先进衬底必须提供点阵匹配和必要的散热功能,从而保证实现大批量地制造高性能器件。

      与此同时,市场对更高产量和更低成本的需求也将推动蓝宝石和碳化硅的直径从2英寸拓展到3-4英寸,最终采用6英寸。

      目前市场上的衬底供应商非常多,既包括一些大型老牌供应商,如SUMITOMO ELECTRIC(住友电工), Cree,以及三星康宁(Samsung Corning),也有大量专注技术的新创公司,如Crystal IS, Kyma以及TopGa。目前全球有80多家公司,65家大学和研究机构致力于开发先进的衬底,或对传统衬底进行改善。

      基于对高亮度LED、蓝紫激光二极管以及大功率、高频电子器件的乐观判断,Strategies Unlimited预测全球针对GaN应用的商用衬底市场产值将从2008年的2.8亿美元增长到2013年的4.7亿美元。2013年的GaN和AlN衬底市场相比现在将出现超过40%的增长。

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